2012年6月7日，中国电子科技集团公司与西安电子科技大学签署高温MOCVD（VHT-MOCVD）设备研发合作协议。

　　根据协议，双方将在前期战略合作的基础上，以VHT-MOCVD设备研发项目合作为切入点，共同探索高校与研究所相结合的产学研用创新研发模式；共建VHT-MOCVD工艺研发平台，共同突破制约我国VHT-MOCVD设备发展的设计、制造、工艺等关键技术，形成自主知识产权；共同促进VHT-MOCVD专业人才的培养，形成一支科研能力强、学术水平高的创新团队，并在这一领域积极推动深度合作，逐步推进VHT-MOCVD设备的工程化与产业化，实现MOCVD技术的可持续和跨越式发展，满足我国国民经济和国防建设对VHT-MOCVD设备的需要，填补国际上VHT-MOCVD技术领域的空白，使我国VHT-MOCVD技术在国际上处于领先地位。