2012年3月28日，根据中国电子科技集团公司与西安电子科技大学战略合作协议，针对宽禁带技术的快速发展，中国电科组织有关单位与西安电子科技大学就宽禁带技术深入合作进行了洽谈。西安电子科技大学校长段宝岩、副校长郝跃和中国电科科技部主任王政、2所所长李子杰、18所所长周春林、48所所长刘济东等参加洽谈。

　　西电与中国电科均是国家电子科技发展的优势力量，双方有广泛的合作空间。双方具体合作本着“互利共赢、优势互补”的原则，加强产学研协同攻关，在宽禁带技术领域进行如下四项具体合作研究：一是双方联合开展高温MOCVD设备的设计、制造、产业化和应用研究；二是双方联合开展ALD（原子层淀积）设备设计、制造、产业化和应用研究；三是双方联合开展宽禁带基础理论、单晶材料、外延材料、高性能器件设计及工艺研究；四是双方联合开展InGaN太阳能电池基础理论、材料、器件设计和工艺研究，以共同促进我国宽禁带技术的快速发展。